ON Semiconductor NM27LV010TE150
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NM27LV010TE150
1807-NM27LV010TE150
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NM27LV010TE150详情
ON Semiconductor NM27LV010TE150重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
32
Package Description
TSOP1, TSSOP32,.8,20
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Number of Words Code
128000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSSOP32,.8,20
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
150 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
NM27LV010TE150
Number of Words
131072 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Package Code
TSOP1
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Fairchild Semiconductor Corporation
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.76
Part Package Code
TSOP1
系列
*
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.71
子类别
OTP ROM
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
32
JESD-30代码
R-PDSO-G32
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3.3 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.015 mA
组织结构
128KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.00005 A
记忆密度
1048576 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
OTP ROM
宽度
8 mm
长度
18.4 mm
NM27LV010TE150拓展信息







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