ON Semiconductor NS6A51AFT3G

表面安装

YES

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

NS6A51AFT3G

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Package Description

R-PDSO-F2

Risk Rank

5.8

Breakdown Voltage-Nom

59.7 V

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Operating Temperature-Min

-65 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Power Dissipation (Max)

0.5 W

ECCN 代码

EAR99

附加功能

EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW ZENER IMPEDANCE

HTS代码

8541.10.00.50

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

Reach合规守则

compliant

参考标准

IEC-61000-4-2

JESD-30代码

R-PDSO-F2

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

跨压抑制二极管

Rep Pk反向电压-最大值

51 V

最大非代表峰值转速功率Dis

500 W

反向电流-最大值

5 µA

击穿电压-最小值

56.7 V

最大箝位电压

82.4 V

反向测试电压

51 V

击穿电压-最大值

62.7 V