ON Semiconductor NSTB60BDW1T1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

工厂交货时间

8 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

表面安装

YES

引脚数

6

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

2

hFEMin

80

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2002

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.13

最大功率耗散

250mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

-1mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

NSTB60B

引脚数量

6

资历状况

不合格

极性

NPN, PNP

元素配置

Dual

功率耗散

256mW

晶体管类型

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

150mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 5mA 10V / 120 @ 5mA 10V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA

转换频率

140MHz

最大击穿电压

50V

频率转换

140MHz

电阻基(R1)

22k Ω

连续集电极电流

-150mA

电阻-发射极基极(R2)

47k Ω

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅