ON Semiconductor NSVB114YPDXV6T1G

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

2

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 4.7

最大功率耗散

500mW

终端形式

FLAT

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-F6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

功率 - 最大

500mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN和PNP

晶体管类型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

250mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 5mA 10V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 300μA, 10mA

电阻基(R1)

10k Ω

电阻-发射极基极(R2)

47k Ω

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅