ON Semiconductor NSVBC123JDXV6T1G
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NSVBC123JDXV6T1G
1807-NSVBC123JDXV6T1G
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
SOT-563, SOT-666
大陆
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SS SOT563 SRF MT RST XSTR
1最小包装量--
NSVBC123JDXV6T1G详情
ON Semiconductor NSVBC123JDXV6T1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
供应商器件包装
SOT-563
Package
Tape & Reel (TR)
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
Base Product Number
NSVBC123
厂商
onsemi
Product Status
活跃
系列
-
功率 - 最大
357mW
晶体管类型
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 1mA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
频率转换
-
电阻基(R1)
2.2kOhms
电阻-发射极基极(R2)
47kOhms
NSVBC123JDXV6T1G拓展信息
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