ON Semiconductor NSVBC849BLT1G

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 years ago)

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

318-08

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Manufacturer Part Number

NSVBC849BLT1G

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.76

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-G3

Brand Name

安森美半导体

配置

SINGLE

极性/通道类型

NPN

JEDEC-95代码

TO-236

最大耗散功率(Abs)

0.3 W

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

200

集电极-发射器电压-最大值

30 V

VCEsat-最大值

0.6 V

集电极-基极电容-最大值

4.5 pF