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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.923842
10
¥4.645134
100
¥4.382203
500
¥4.134154
1000
¥3.900144
ON Semiconductor NSVIMD10AMT1G
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- 对比
NSVIMD10AMT1G
1807-NSVIMD10AMT1G
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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SURF MT BIASED RES XSTR
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¥
总价: ¥
NSVIMD10AMT1G详情
ON Semiconductor NSVIMD10AMT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Current-Collector (Ic) (Max)
500mA
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
功率 - 最大
285mW
晶体管类型
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 1mA 5V / 68 @ 100mA 5V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 1mA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
电阻基(R1)
13k Ω, 130 Ω
电阻-发射极基极(R2)
10k Ω
RoHS状态
ROHS3 Compliant
NSVIMD10AMT1G拓展信息
ON Semiconductor
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