NSVIMD10AMT1G
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ON Semiconductor NSVIMD10AMT1G

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型号

NSVIMD10AMT1G

utmel 编号

1807-NSVIMD10AMT1G

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置

封装

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SURF MT BIASED RES XSTR

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NSVIMD10AMT1G
NSVIMD10AMT1G ON Semiconductor SURF MT BIASED RES XSTR

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NSVIMD10AMT1G详情

ON Semiconductor NSVIMD10AMT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    500mA

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101

  • 已出版

    2013

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 功率 - 最大

    285mW

  • 晶体管类型

    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    100 @ 1mA 5V / 68 @ 100mA 5V

  • 最大集极截止电流

    500nA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    300mV @ 1mA, 10mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    50V

  • 电阻基(R1)

    13k Ω, 130 Ω

  • 电阻-发射极基极(R2)

    10k Ω

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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