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价格梯度

内地含税价

1

￥1.708376
10

￥1.611675
100

￥1.520448
500

￥1.43439
1000

￥1.353197

ON Semiconductor NSVMUN5211DW1T2G

Name: NSVMUN5211DW1T2G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-NSVMUN5211DW1T2G
Price: 1.71 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

NSVMUN5211DW1T2G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-NSVMUN5211DW1T2G

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置

封装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88

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NSVMUN5211DW1T2G ON Semiconductor TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88

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NSVMUN5211DW1T2G详情

技术参数

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ON Semiconductor NSVMUN5211DW1T2G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间

8 Weeks
安装类型

表面贴装
包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Current-Collector (Ic) (Max)

100mA
包装

Tape & Reel (TR)
系列

Automotive, AEC-Q101
已出版

2012
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
端子表面处理

Tin (Sn)
功率 - 最大

385mW
晶体管类型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

35 @ 5mA 10V
最大集极截止电流

500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 300μA, 10mA
电压 - 集射极击穿（最大值）

50V
电阻基(R1)

10k Ω
电阻-发射极基极(R2)

10k Ω
RoHS状态

ROHS3 Compliant

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NSVMUN5211DW1T2G拓展信息

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