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1

￥2.342032
10

￥2.209464
100

￥2.0844
500

￥1.966417
1000

￥1.855106

ON Semiconductor NSVMUN531335DW1T1G

Name: NSVMUN531335DW1T1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-NSVMUN531335DW1T1G
Price: 2.34 USD
Availability: InStock
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对比

型号

NSVMUN531335DW1T1G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-NSVMUN531335DW1T1G

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置

封装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

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NSVMUN531335DW1T1G ON Semiconductor Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

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NSVMUN531335DW1T1G详情

技术参数

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ON Semiconductor NSVMUN531335DW1T1G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间

8 Weeks
安装类型

表面贴装
包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Current-Collector (Ic) (Max)

100mA
包装

Tape & Reel (TR)
系列

Automotive, AEC-Q101
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
功率 - 最大

187mW
晶体管类型

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 5mA 10V
最大集极截止电流

500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 300μA, 10mA
电压 - 集射极击穿（最大值）

50V
电阻基(R1)

47k Ω, 2.2k Ω
电阻-发射极基极(R2)

47k Ω
RoHS状态

ROHS3 Compliant

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NSVMUN531335DW1T1G拓展信息

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