NSVMUN5336DW1T1G
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ON Semiconductor NSVMUN5336DW1T1G

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型号

NSVMUN5336DW1T1G

utmel 编号

1807-NSVMUN5336DW1T1G

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置

封装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

COMPLEMENTARY DIGITAL TRA

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NSVMUN5336DW1T1G
NSVMUN5336DW1T1G ON Semiconductor COMPLEMENTARY DIGITAL TRA

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NSVMUN5336DW1T1G详情

ON Semiconductor NSVMUN5336DW1T1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
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  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-TSSOP, SC-88, SOT-363

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    100mA

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 功率 - 最大

    187mW

  • 晶体管类型

    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    80 @ 5mA 10V

  • 最大集极截止电流

    500nA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    250mV @ 300μA, 10mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    50V

  • 电阻基(R1)

    100k Ω

  • 电阻-发射极基极(R2)

    100k Ω

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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