NTA7002NT1
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ON Semiconductor NTA7002NT1

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型号

NTA7002NT1

utmel 编号

1807-NTA7002NT1

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SC-75, SOT-416

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 30V 0.154A SOT-416

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NTA7002NT1
NTA7002NT1 ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 0.154A SOT-416

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NTA7002NT1详情

ON Semiconductor NTA7002NT1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SC-75, SOT-416

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    154mA Tj

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    2.5V 4.5V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    300mW Tj

  • Turn Off Delay Time

    98 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2008

  • JESD-609代码

    e0

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn80Pb20)

  • 电压 - 额定直流

    30V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    235

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 额定电流

    154mA

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    不合格

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    300mW

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    7 Ω @ 154mA, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.5V @ 100μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    20pF @ 5V

  • 上升时间

    15ns

  • Vgs(最大值)

    ±10V

  • 下降时间(典型值)

    15 ns

  • 连续放电电流(ID)

    154mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    10V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.154A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    7.5Ohm

  • 漏源击穿电压

    30V

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    6 pF

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

  • 无铅

    含铅

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