NTB082N65S3F
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ON Semiconductor NTB082N65S3F

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型号

NTB082N65S3F

utmel 编号

1807-NTB082N65S3F

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET® III, FRFET®, 650 V, 40 A, 82 mO, D2PAK

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NTB082N65S3F
NTB082N65S3F ON Semiconductor Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET® III, FRFET®, 650 V, 40 A, 82 mO, D2PAK

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NTB082N65S3F详情

ON Semiconductor NTB082N65S3F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    40A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    313W Tc

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    SuperFET® III

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    82m Ω @ 20A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5V @ 4mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    3410pF @ 400V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    81nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    650V

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

NTB082N65S3F拓展信息

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