ON Semiconductor NTB13N10T4

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Voltage Rating (DC)

100 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

20 ns

Package Description

CASE 418B-04, D2PAK-3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Drain Current-Max (ID)

13 A

Risk Rank

5.18

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

NTB13N10T4

Rohs Code

无

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Manufacturer Package Code

CASE 418B-04

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

235

Reach合规守则

unknown

额定电流

13 A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

64.7 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

40 ns

漏源电压 (Vdss)

100 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

13 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏极-源极导通最大电阻

0.165 Ω

漏源击穿电压

100 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

39 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

85 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

165 mΩ

无铅

含铅