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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.920593
10
¥1.811877
100
¥1.709322
500
¥1.612564
1000
¥1.52129
ON Semiconductor NTB22N06
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- 对比
NTB22N06
1807-NTB22N06
集成电路(IC)
--
大陆
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Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NTB22N06详情
ON Semiconductor NTB22N06重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
NTB22N06
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Package Description
CASE 418B-03, D2PAK-3
Manufacturer Package Code
CASE 418B-03
Risk Rank
5.21
Drain Current-Max (ID)
22 A
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package
Bulk
厂商
onsemi
Product Status
活跃
系列
*
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.06 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
66 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
72 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
NTB22N06拓展信息
ON Semiconductor
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