ON Semiconductor NTB23N03RT4

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

引脚数

3

供应商器件包装

D²PAK

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Voltage Rating (DC)

25 V

Manufacturer Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

9.9 ns

Package

Bulk

Base Product Number

NTB23

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

23A (Ta)

厂商

onsemi

Power Dissipation (Max)

37.5W (Tj)

Product Status

Obsolete

Package Description

CASE 418AA-01, D2PAK-3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 418AA-01

Reflow Temperature-Max (s)

30

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

NTB23N03RT4

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.18

Drain Current-Max (ID)

6 A

包装

Bulk

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

零件状态

Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

额定电流

23 A

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

37.5 W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

45mOhm @ 6A, 10V

上升时间

14.9 ns

漏源电压 (Vdss)

25 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

23 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏极-源极导通最大电阻

0.06 Ω

漏源击穿电压

25 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60 A

DS 击穿电压-最小值

25 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

32 mΩ

达到SVHC

unknown

无铅

含铅