ON Semiconductor NTB25P06T4

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

供应商器件包装

D²PAK

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Base Product Number

NTB25

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

27.5A (Ta)

厂商

onsemi

Product Status

Obsolete

Voltage Rating (DC)

-60 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

43 ns

Package Description

CASE 418B-04, D2PAK-3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 418B-04

Reflow Temperature-Max (s)

30

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

NTB25P06T4

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.14

Drain Current-Max (ID)

27.5 A

系列

-

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

unknown

额定电流

-25 A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

120 W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

82mOhm @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1680 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

50 nC @ 10 V

上升时间

72 ns

漏源电压 (Vdss)

60 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

27.5 A

栅极至源极电压(Vgs)

15 V

漏极-源极导通最大电阻

0.082 Ω

漏源击穿电压

-60 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

600 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

漏源电阻

65 mΩ

无铅

含铅