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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 引脚数 | 晶体管元件材料 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 已出版 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 端子表面处理 | 电压 - 额定直流 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | JESD-30代码 | 资历状况 | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 箱体转运 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | Vgs（最大值） | 下降时间（典型值） | 连续放电电流(ID) | 栅极至源极电压(Vgs) | 漏极-源极导通最大电阻 | 漏源击穿电压 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | RoHS状态 | 无铅 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTB30N06LT4G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 3 | SILICON | 30A Ta | 5V | 1 | 88.2W Tc | 15.6 ns | 2V @ 250μA | -55°C~175°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2005 | e3 | yes | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago) | 1 (Unlimited) | 2 | Tin (Sn) | 60V | 鸥翼 | 未说明 | 30A | 未说明 | R-PSSO-G2 | 不合格 | Single | 增强型MOSFET | 88.2W | DRAIN | N-Channel | SWITCHING | 46m Ω @ 15A, 5V | 1150pF @ 25V | 32nC @ 5V | 200ns | ±15V | 62 ns | 30A | 15V | 0.046Ohm | 60V | 90A | 符合RoHS标准 | 无铅 |
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