对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 引脚数 | 晶体管元件材料 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 已出版 | JESD-609代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 端子表面处理 | 附加功能 | 电压 - 额定直流 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | JESD-30代码 | 资历状况 | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 箱体转运 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | Vgs(最大值) | 下降时间(典型值) | 连续放电电流(ID) | 栅极至源极电压(Vgs) | 漏源击穿电压 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | 雪崩能量等级(Eas) | RoHS状态 | 无铅 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTB30N20G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 3 | SILICON | 30A Ta | 10V | 1 | 2W Ta 214W Tc | 82 ns | 4V @ 250μA | -55°C~175°C TJ | Tube | 2005 | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 2 | Tin (Sn) | 雪崩 额定 | 200V | 鸥翼 | 未说明 | 30A | 未说明 | R-PSSO-G2 | 不合格 | Single | 增强型MOSFET | 214W | DRAIN | N-Channel | SWITCHING | 81m Ω @ 15A, 10V | 2335pF @ 25V | 100nC @ 10V | 70ns | ±30V | 88 ns | 30A | 30V | 200V | 90A | 450 mJ | 符合RoHS标准 | 无铅 |


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