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'ntb30n20g'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

底架

安装类型

包装/外壳

引脚数

晶体管元件材料

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

已出版

JESD-609代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

端子表面处理

附加功能

电压 - 额定直流

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

额定电流

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

资历状况

元素配置

操作模式

功率耗散

箱体转运

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

Vgs(最大值)

下降时间(典型值)

连续放电电流(ID)

栅极至源极电压(Vgs)

漏源击穿电压

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

雪崩能量等级(Eas)

RoHS状态

无铅

NTB30N20G
NTB30N20G
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

表面贴装

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

3

SILICON

30A Ta

10V

1

2W Ta 214W Tc

82 ns

4V @ 250μA

-55°C~175°C TJ

Tube

2005

e3

Obsolete

1 (Unlimited)

2

Tin (Sn)

雪崩 额定

200V

鸥翼

未说明

30A

未说明

R-PSSO-G2

不合格

Single

增强型MOSFET

214W

DRAIN

N-Channel

SWITCHING

81m Ω @ 15A, 10V

2335pF @ 25V

100nC @ 10V

70ns

±30V

88 ns

30A

30V

200V

90A

450 mJ

符合RoHS标准

无铅