ON Semiconductor NTB30N20T4

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Voltage Rating (DC)

200 V

Manufacturer Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

82 ns

Package Description

CASE 418B-04, D2PAK-3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 418B-04

Reflow Temperature-Max (s)

30

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

NTB30N20T4

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.19

Drain Current-Max (ID)

30 A

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

unknown

额定电流

30 A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

214 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

70 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

30 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

漏极-源极导通最大电阻

0.081 Ω

漏源击穿电压

200 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

90 A

DS 击穿电压-最小值

200 V

雪崩能量等级（Eas）

450 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

68 mΩ

无铅

含铅