NTB45N06L
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ON Semiconductor NTB45N06L

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型号

NTB45N06L

utmel 编号

1807-NTB45N06L

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR 45 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 418B-04, D2PAK-3, FET General Purpose Power

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NTB45N06L ON Semiconductor TRANSISTOR 45 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 418B-04, D2PAK-3, FET General Purpose Power

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NTB45N06L详情

ON Semiconductor NTB45N06L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    Tube

  • Base Product Number

    NTB45

  • 厂商

    onsemi

  • Product Status

    Obsolete

  • Package Description

    CASE 418B-04, D2PAK-3

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Manufacturer Package Code

    CASE 418B-04

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    NTB45N06L

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Rochester Electronics LLC

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Risk Rank

    5.16

  • Drain Current-Max (ID)

    45 A

  • 系列

    -

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 附加功能

    逻辑电平兼容

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    240

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.028 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    150 A

  • DS 击穿电压-最小值

    60 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    240 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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