ON Semiconductor NTB52N10T4

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Voltage Rating (DC)

100 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

74 ns

Package Description

CASE 418B-04, D2PAK-3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 418B-04

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

NTB52N10T4

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.18

Drain Current-Max (ID)

52 A

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

52 A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

178 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

95 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

52 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

52 A

漏极-源极导通最大电阻

0.03 Ω

漏源击穿电压

100 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

156 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

800 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

178 W

漏源电阻

30 mΩ

无铅

含铅