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'ntb5605'

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category.单MOSFET晶体管 (6)

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对比	图片	产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	Rohs	工厂交货时间	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	晶体管元件材料						Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id	操作温度	包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	端子表面处理	电压 - 额定直流	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	额定电流	时间@峰值回流温度-最大值(s)	JESD-30代码	资历状况	配置	元素配置	操作模式	功率耗散	箱体转运	接通延迟时间	场效应管类型	晶体管应用	Rds On(Max)@Id,Vgs	输入电容(Ciss)(Max)@Vds	门极电荷(Qg)(最大)@Vgs	上升时间	漏源电压 (Vdss)	Vgs（最大值）	下降时间（典型值）	连续放电电流(ID)	阈值电压	栅极至源极电压(Vgs)	最大漏极电流 (Abs) (ID)	漏极-源极导通最大电阻	漏源击穿电压	脉冲漏极电流-最大值(IDM)	DS 击穿电压-最小值	雪崩能量等级（Eas）	高度	长度	宽度	辐射硬化	达到SVHC	RoHS状态	无铅
		NTB5605P	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			表面贴装	表面贴装	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB		3	SILICON	18.5A Ta	5V	1	88W Tc	29 ns	2V @ 250μA	-55°C~175°C TJ	Tube	2008	e0		Obsolete	1 (Unlimited)	2	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	-60V		鸥翼	235	-18.5A	未说明	R-PSSO-G2	不合格		Single	增强型MOSFET	88W	DRAIN		P-Channel	SWITCHING	140m Ω @ 8.5A, 5V	1190pF @ 25V	22nC @ 5V	122ns	60V	±20V	75 ns	18.5A		20V	17A	0.14Ohm	-60V	55A							not_compliant	Non-RoHS Compliant	含铅
		NTB5605PG	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			表面贴装	表面贴装	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB		3	SILICON	18.5A Ta	5V	1	88W Tc	29 ns	2V @ 250μA	-55°C~175°C TJ	Tube	2005	e3	yes	OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)	1 (Unlimited)	2	EAR99	Tin (Sn)	-60V		鸥翼	260	-18.5A	40	R-PSSO-G2	不合格		Single	增强型MOSFET	88W	DRAIN		P-Channel	SWITCHING	140m Ω @ 8.5A, 5V	1190pF @ 25V	22nC @ 5V	122ns	60V	±20V	75 ns	18.5A		20V	17A	0.14Ohm	-60V	55A								符合RoHS标准	无铅
		NTB5605PG	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			表面贴装	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	YES	3	SILICON	18.5A Ta	5V	1	88W Tc		2V @ 250μA	-55°C~175°C TJ	Tube		e3	no	Obsolete	1 (Unlimited)	2		哑光锡		SINGLE	鸥翼	260		40	R-PSSO-G2	COMMERCIAL	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE		增强型MOSFET		DRAIN		P-Channel	SWITCHING	140m Ω @ 8.5A, 5V	1.19pF @ 25V	22nC @ 5V		60V	±20V					18.5A	0.14Ohm		55A	60V	338 mJ					unknown	ROHS3 Compliant
		NTB5605PT4	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			表面贴装	表面贴装	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB		3	SILICON	18.5A Ta	5V	1	88W Tc	29 ns	2V @ 250μA	-55°C~175°C TJ	Tape & Reel (TR)	2008	e0		Obsolete	1 (Unlimited)	2	EAR99	Tin/Lead (Sn80Pb20)	-60V		鸥翼	240	-18.5A	30	R-PSSO-G2	不合格		Single	增强型MOSFET	88W	DRAIN		P-Channel	SWITCHING	140m Ω @ 8.5A, 5V	1190pF @ 25V	22nC @ 5V	122ns	60V	±20V	75 ns	18.5A		20V	17A	0.14Ohm	-60V	55A							not_compliant	Non-RoHS Compliant	含铅
		NTB5605T4G	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			表面贴装	表面贴装	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB		3	SILICON	18.5A Ta	5V	1	88W Tc	29 ns	2V @ 250μA	-55°C~175°C TJ	Tape & Reel (TR)	2010	e3		Obsolete	1 (Unlimited)	2	EAR99	Tin (Sn)			鸥翼	未说明		未说明	R-PSSO-G2	不合格		Single	增强型MOSFET	88W	DRAIN		P-Channel	SWITCHING	140m Ω @ 8.5A, 5V	1190pF @ 25V	22nC @ 5V	122ns	60V	±20V	75 ns	18.5A		20V			-60V	55A								符合RoHS标准
		NTB5605PT4G	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		7 Weeks		表面贴装	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	YES	3	SILICON	18.5A Ta	5V	1	88W Tc	29 ns	2V @ 250μA	-55°C~175°C TJ	Tape & Reel (TR)	2005	e3	yes	ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)	1 (Unlimited)	2	EAR99	Tin (Sn)	-60V		鸥翼		-18.5A		R-PSSO-G2			Single	增强型MOSFET	88W	DRAIN	12.5 ns	P-Channel	SWITCHING	140m Ω @ 8.5A, 5V	1190pF @ 25V	22nC @ 5V	122ns	60V	±20V	75 ns	18.5A	-1.5V	20V			-60V	55A			4.83mm	10.29mm	9.65mm	无	无SVHC	ROHS3 Compliant	无铅