ON Semiconductor NTB5860NT4G

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 221A-09, 3 PIN

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

418B-04

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Manufacturer Part Number

NTB5860NT4G

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

生命周期结束

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.23

Drain Current-Max (ID)

103 A

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

Brand Name

安森美半导体

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

220 A

漏极-源极导通最大电阻

0.003 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

520 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

800 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

283 W