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'ntb60n06'

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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	触点镀层	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	终端数量	晶体管元件材料																			Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id	操作温度	包装	已出版	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	终止次数	ECCN 代码	电阻	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	子类别	电压 - 额定直流	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	额定电流	时间@峰值回流温度-最大值(s)	JESD-30代码	资历状况	配置	元素配置	功率耗散	箱体转运	接通延迟时间	晶体管应用	Rds On(Max)@Id,Vgs	上升时间	漏源电压 (Vdss)	Vgs（最大值）	极性/通道类型	下降时间（典型值）	连续放电电流(ID)	阈值电压	栅极至源极电压(Vgs)	最大漏极电流 (Abs) (ID)	漏极-源极导通最大电阻	漏源击穿电压	脉冲漏极电流-最大值(IDM)	DS 击穿电压-最小值	雪崩能量等级（Eas）	长度	辐射硬化
NTB60N06	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
NTB60N06G	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	表面贴装	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	3	SILICON	1	2.4W Ta 150W Tj	94.5 ns						60A Ta	4V @ 250μA	10V	-55°C~175°C TJ	Tube	2008	e3		Obsolete	1 (Unlimited)	2	EAR99		Tin (Sn)		60V	鸥翼	260	60A	40	R-PSSO-G2	不合格	Single	增强型MOSFET	150W	DRAIN		N-Channel	SWITCHING	14m Ω @ 30A, 10V	3220pF @ 25V	81nC @ 10V	180.7ns		±20V		142.5 ns	60A		20V	0.014Ohm	60V	180A	454 mJ							符合RoHS标准	无铅
NTB60N06L	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	表面贴装	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	3	SILICON	1	2.4W Ta 150W Tj	100 ns						60A Ta	2V @ 250μA	5V	-55°C~175°C TJ	Tube	2005	e0		Obsolete	1 (Unlimited)	2	EAR99		Tin/Lead (Sn/Pb)	逻辑电平兼容	60V	鸥翼	225	60A	30	R-PSSO-G2	不合格	Single	增强型MOSFET	150W	DRAIN		N-Channel	SWITCHING	16m Ω @ 30A, 5V	3075pF @ 25V	65nC @ 5V	576ns		±15V		237 ns	60A		15V	0.016Ohm	60V	180A	454 mJ						not_compliant	Non-RoHS Compliant	含铅
NTB60N06T4	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			YES	3		2	SILICON	60 V	Compliant	94.5 ns	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	CASE 418B-04	30	175 °C	无	NTB60N06T4	RECTANGULAR	安森美半导体	1	Obsolete	ON SEMICONDUCTOR	5.2	60 A			Bulk	e0					EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	175 °C	-55 °C		FET 通用电源		SINGLE	鸥翼	240	60 A		R-PSSO-G2	不合格	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	Single	增强型MOSFET	150 W	DRAIN		SWITCHING			180.7 ns	N-CHANNEL		60 A		20 V	60 A	0.014 Ω	60 V	180 A	60 V	454 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	150 W	14 mΩ	not_compliant	含铅
NTB60N06LG	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	表面贴装	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	3	SILICON	1	2.4W Ta 150W Tj	100 ns						60A Ta	2V @ 250μA	5V	-55°C~175°C TJ	Tube	2005	e3		Obsolete	1 (Unlimited)	2	EAR99		Tin (Sn)	逻辑电平兼容	60V	鸥翼	260	60A	40	R-PSSO-G2	不合格	Single	增强型MOSFET	150W	DRAIN		N-Channel	SWITCHING	16m Ω @ 30A, 5V	3075pF @ 25V	65nC @ 5V	576ns		±15V		237 ns	60A		15V	0.016Ohm	60V	180A	454 mJ							符合RoHS标准	无铅
NTB60N06G-VB	VBsemi Elec	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1
NTB60N06T4G	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8 Weeks	Tin	表面贴装	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	YES	3	SILICON			10V	1	60A Ta	2.4W Ta 150W Tj	94.5 ns	4V @ 250μA		-55°C~175°C TJ	Tape & Reel (TR)	2005	e3	yes	ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)	1 (Unlimited)	2	EAR99	16MOhm			60V	鸥翼	260	60A	40	R-PSSO-G2		Single	增强型MOSFET	150W	DRAIN	25.5 ns	N-Channel	SWITCHING	14m Ω @ 30A, 10V	3220pF @ 25V	81nC @ 10V	180.7ns		±20V		142.5 ns	60A	2.85V	20V		60V		454 mJ		4.83mm	10.29mm	9.65mm	无	无SVHC	ROHS3 Compliant	无铅
NTB60N06LT4	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	表面贴装	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	3	SILICON	5V	60A Ta	100 ns						1	2V @ 250μA	2.4W Ta 150W Tj	-55°C~175°C TJ	Tape & Reel (TR)	2005	e0	no	Obsolete	1 (Unlimited)	2	EAR99		Tin/Lead (Sn/Pb)	逻辑电平兼容	60V	鸥翼	240	60A	30	R-PSSO-G2	不合格	Single	增强型MOSFET	150W	DRAIN		N-Channel	SWITCHING	16m Ω @ 30A, 5V	3075pF @ 25V	65nC @ 5V	576ns		±15V		237 ns	60A		15V	0.016Ohm	60V	180A	454 mJ						not_compliant	Non-RoHS Compliant	含铅
NTB60N06LT4G	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	D2PAK	2.4W Ta 150W Tj								60A Ta	2V @ 250μA	5V	-55°C~175°C TJ	Tape & Reel (TR)				Obsolete	1 (Unlimited)																		N-Channel		16mOhm @ 30A, 5V	3.075pF @ 25V	65nC @ 5V		60V	±15V																ROHS3 Compliant
NTB60N06LT4G	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	表面贴装	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	3	SILICON	5V	2.4W Ta 150W Tj	100 ns						1	2V @ 250μA	60A Ta	-55°C~175°C TJ	Tape & Reel (TR)	2005	e3	yes	LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)	1 (Unlimited)	2	EAR99		Tin (Sn)	逻辑电平兼容	60V	鸥翼	未说明	60A	未说明	R-PSSO-G2	不合格	Single	增强型MOSFET	150W	DRAIN		N-Channel	SWITCHING	16m Ω @ 30A, 5V	3075pF @ 25V	65nC @ 5V	576ns		±15V		237 ns	60A		15V		60V		454 mJ							符合RoHS标准	无铅