ON Semiconductor NTB65N02R

底架

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

65A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Turn Off Delay Time

14 ns

Power Dissipation (Max)

1.04W Ta 62.5W Tc

Number of Elements

1

已出版

2009

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

25V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

235

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

65A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

62.5W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.2m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1330pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.5nC @ 4.5V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

65A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7.6A

漏极-源极导通最大电阻

0.0105Ohm

漏源击穿电压

24V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

160A

雪崩能量等级（Eas）

60 mJ

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅