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ON Semiconductor NTB75N03-06

Name: NTB75N03-06
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-NTB75N03-06
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

NTB75N03-06

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-NTB75N03-06

商品类别

无类别的

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 75A I(D), 30V, 0.0065OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

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NTB75N03-06 ON Semiconductor POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 75A I(D), 30V, 0.0065OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

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NTB75N03-06详情

技术参数

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ON Semiconductor NTB75N03-06重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

2
晶体管元件材料

SILICON
Package Description

CASE 418AA-01, D2PAK-3
Package Style

小概要
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code

CASE 418AA-01
Reflow Temperature-Max (s)

30
Operating Temperature-Max

150 °C
Rohs Code

无
Manufacturer Part Number

NTB75N03-06
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

安森美半导体
Number of Elements

1
Part Life Cycle Code

生命周期结束
Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank

7.07
Drain Current-Max (ID)

75 A
JESD-609代码

e0
无铅代码

无
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能

雪崩额定
子类别

FET 通用电源
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
峰值回流焊温度（摄氏度）

225
Reach合规守则

compliant
引脚数量

3
JESD-30代码

R-PDSO-G2
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)

75 A
漏极-源极导通最大电阻

0.0065 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

225 A
DS 击穿电压-最小值

30 V
雪崩能量等级（Eas）

1500 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

125 W

0个相似型号

NTB75N03-06拓展信息

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