ON Semiconductor NTD15N06L-1

安装类型

面板安装

表面安装

NO

越来越多的功能

Flange

触点形状

Circular

外壳材料

Composite

插入材料

Plastic

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Base Product Number

D38999/20ME

Contact Sizes

16

厂商

TE Connectivity Deutsch 连接器

Product Status

Discontinued at Digi-Key

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 369D-01

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

NTD15N06L-1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.3

Drain Current-Max (ID)

15 A

操作温度

-65°C ~ 200°C

系列

Military, MIL-DTL-38999 Series III, ACT

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

连接器类型

插座外壳

类型

用于内螺纹插座

定位的数量

8

端子表面处理

锡铅

附加功能

逻辑电平兼容

紧固类型

Threaded

子类别

FET 通用电源

触点类型

Crimp

端子位置

SINGLE

方向

A

终端形式

THROUGH-HOLE

屏蔽/屏蔽

Shielded

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

入口保护

抗环境干扰

Reach合规守则

compliant

外壳完成

化学镍

引脚数量

3

外壳尺寸-插入

17-8

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

房屋颜色

Silver

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

注意

不包括触点

操作模式

增强型MOSFET

外壳尺寸，MIL

E

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

包括

-

最大漏极电流 (Abs) (ID)

15 A

漏极-源极导通最大电阻

0.1 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

45 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

61 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.5 W

特征

-

材料可燃性等级

-