ON Semiconductor NTD18N06L-1

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Drain Current-Max (ID)

18 A

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Manufacturer

安森美半导体

Manufacturer Package Code

CASE 369D-01

Manufacturer Part Number

NTD18N06L-1

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Description

CASE 369D-01, DPAK-3

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

IN-LINE

Part Life Cycle Code

Obsolete

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Risk Rank

5.28

Rohs Code

无

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

18 A

漏极-源极导通最大电阻

0.065 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

54 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

72 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.5 W