ON Semiconductor NTD18N06LT4G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

7 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.1W Ta 55W Tj

Turn Off Delay Time

19 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

54mOhm

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

60V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

18A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

55W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9.9 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

65m Ω @ 9A, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

675pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

22nC @ 5V

上升时间

79ns

Vgs（最大值）

±15V

下降时间（典型值）

38 ns

连续放电电流(ID)

18A

阈值电压

1.8V

栅极至源极电压(Vgs)

15V

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

54A

雪崩能量等级（Eas）

72 mJ

高度

2.38mm

长度

6.73mm

宽度

6.22mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅