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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 晶体管元件材料 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 已出版 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 电阻 | 附加功能 | 电压 - 额定直流 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | JESD-30代码 | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | Vgs（最大值） | 下降时间（典型值） | 连续放电电流(ID) | 阈值电压 | 栅极至源极电压(Vgs) | 漏源击穿电压 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | 雪崩能量等级（Eas） | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTD18N06LT4G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 7 Weeks | Tin | 表面贴装 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | YES | 3 | SILICON | 18A Ta | 5V | 1 | 2.1W Ta 55W Tj | 19 ns | 2V @ 250μA | -55°C~175°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2005 | e3 | yes | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | 54mOhm | 逻辑电平兼容 | 60V | 鸥翼 | 260 | 18A | 40 | R-PSSO-G2 | Single | 增强型MOSFET | 55W | DRAIN | 9.9 ns | N-Channel | SWITCHING | 65m Ω @ 9A, 5V | 675pF @ 25V | 22nC @ 5V | 79ns | ±15V | 38 ns | 18A | 1.8V | 15V | 60V | 54A | 72 mJ | 2.38mm | 6.73mm | 6.22mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 |
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