ON Semiconductor NTD40N03R
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NTD40N03R
1807-NTD40N03R
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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32A, 25V, 0.023ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369AA-01, DPAK-3
--最小包装量--
NTD40N03R详情
ON Semiconductor NTD40N03R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
CASE 369AA-01, DPAK-3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
CASE 369AA-01
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
NTD40N03R
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
安森美半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ON SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.15
Drain Current-Max (ID)
32 A
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
235
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
32 A
漏极-源极导通最大电阻
0.023 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
100 A
DS 击穿电压-最小值
25 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
41.7 W
NTD40N03R拓展信息
ON Semiconductor
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