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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.1331
10
¥2.955754
100
¥2.788449
500
¥2.630613
1000
¥2.481708
ON Semiconductor NTD4302-001
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- 对比
NTD4302-001
1807-NTD4302-001
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
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8.4A, 30V, 0.01ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369D-01, DPAK-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NTD4302-001详情
ON Semiconductor NTD4302-001重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
Base Product Number
NTD43
厂商
onsemi
Product Status
Obsolete
Package Description
CASE 369D-01, DPAK-3
Package Style
IN-LINE
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
CASE 369D-01
Reflow Temperature-Max (s)
30
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
NTD4302-001
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.16
Drain Current-Max (ID)
8.4 A
系列
-
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.01 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
28 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
722 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
NTD4302-001拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor






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