NTD4404N1
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ON Semiconductor NTD4404N1

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型号

NTD4404N1

utmel 编号

1807-NTD4404N1

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR 32 A, 24 V, 0.00517 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369D-01, DPAK-3, FET General Purpose Power

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NTD4404N1
NTD4404N1 ON Semiconductor TRANSISTOR 32 A, 24 V, 0.00517 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369D-01, DPAK-3, FET General Purpose Power

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NTD4404N1详情

ON Semiconductor NTD4404N1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • RoHS

    Non-Compliant

  • Turn Off Delay Time

    25 ns

  • Package

    Bulk

  • 厂商

    onsemi

  • Product Status

    活跃

  • Package Description

    CASE 369D-01, DPAK-3

  • Package Style

    IN-LINE

  • Moisture Sensitivity Levels

    未说明

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Manufacturer Package Code

    CASE 369D-01

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    NTD4404N1

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Rochester Electronics LLC

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Risk Rank

    5.34

  • Drain Current-Max (ID)

    32 A

  • 系列

    *

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • 电阻

    4.7 MΩ

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSIP-T3

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    2.4 W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 上升时间

    77 ns

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 连续放电电流(ID)

    32 A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20 V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.00517 Ω

  • 漏源击穿电压

    24 V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    96 A

  • DS 击穿电压-最小值

    24 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    90 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 漏源电阻

    5.17 mΩ

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技术文档: ON Semiconductor NTD4404N1.

NTD4404N1拓展信息

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