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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.797201
10
¥2.63887
100
¥2.489496
500
¥2.348584
1000
¥2.215648
ON Semiconductor NTD4404N1
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- 对比
NTD4404N1
1807-NTD4404N1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
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TRANSISTOR 32 A, 24 V, 0.00517 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369D-01, DPAK-3, FET General Purpose Power
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NTD4404N1详情
ON Semiconductor NTD4404N1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Non-Compliant
Turn Off Delay Time
25 ns
Package
Bulk
厂商
onsemi
Product Status
活跃
Package Description
CASE 369D-01, DPAK-3
Package Style
IN-LINE
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
CASE 369D-01
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
NTD4404N1
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.34
Drain Current-Max (ID)
32 A
系列
*
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
电阻
4.7 MΩ
端子表面处理
锡铅
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.4 W
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
77 ns
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
32 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏极-源极导通最大电阻
0.00517 Ω
漏源击穿电压
24 V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
96 A
DS 击穿电压-最小值
24 V
雪崩能量等级(Eas)
90 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
5.17 mΩ
NTD4404N1拓展信息
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
ON Semiconductor
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