ON Semiconductor NTD4404NT4

安装类型

面板安装

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Voltage Rating DC

28V

Contact Materials

银合金

Voltage Rating AC

115V

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 369C-01

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

NTD4404NT4

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.78

Drain Current-Max (ID)

32 A

系列

08

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

零件状态

活跃

定位的数量

8

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

250mA (AC/DC)

引脚数量

3

触点表面处理

Gold

终端样式

焊片

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

执行器类型

Flatted (3.17mm Dia)

面板开孔尺寸

--

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

甲板数量

2

晶体管应用

SWITCHING

操作力

--

极性/通道类型

N-CHANNEL

触点定时

Non-Shorting (BBM)

最大漏极电流 (Abs) (ID)

12 A

漏极-源极导通最大电阻

0.00517 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

96 A

索引停止

固定式

每层电路

SP8T

面板后深度

31.19mm

DS 击穿电压-最小值

24 V

雪崩能量等级（Eas）

90 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

每个甲板的杆数

1

最大耗散功率(Abs)

78.1 W

投掷角度

36°

特征

--

执行器长度

9.53mm