ON Semiconductor NTD4810NH-35G

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Stub Leads, IPak

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9A Ta 54A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 11.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.28W Ta 50W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2009

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

265

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

10m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1225pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

54A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

10.8A

漏极-源极导通最大电阻

0.0167Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

120A

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

66 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准