ON Semiconductor NTD4863NA-35G

生命周期状态

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安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Stub Leads, IPak

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.2A Ta 49A Tc

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.27W Ta 36.6W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.95W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.3m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

990pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17.8nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

25V

连续放电电流(ID)

11.3mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9.2A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

98A

DS 击穿电压-最小值

25V

雪崩能量等级（Eas）

60.5 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅