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'ntd4904n1g'

2结果

category.单MOSFET晶体管 (2)

所有品牌

对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

终端数量

晶体管元件材料

厂商

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

包装

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

端子表面处理

技术

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度（摄氏度）

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

资历状况

配置

操作模式

箱体转运

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

漏源电压 (Vdss)

极性/通道类型

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

DS 击穿电压-最小值

雪崩能量等级（Eas）

场效应管技术

场效应管特性

达到SVHC

RoHS状态

NTD4904N-1G

ON Semiconductor

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

NO

3

I-PAK

3

SILICON

Obsolete

13A (Ta), 79A (Tc)

NTD49

Tube

LEAD FREE, CASE 369D-01, IPAK-3

IN-LINE

未说明

onsemi

PLASTIC/EPOXY

CASE 369D-01

未说明

13 A

5.21

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

活跃

1

Rochester Electronics LLC

RECTANGULAR

NTD4904N-1G

有

2.2V @ 250µA

-

e3

有

哑光锡

MOSFET (Metal Oxide)

SINGLE

THROUGH-HOLE

未说明

R-PSIP-T3

COMMERCIAL

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

DRAIN

N-Channel

SWITCHING

3.7mOhm @ 30A, 10V

3052 pF @ 15 V

41 nC @ 10 V

30 V

N-CHANNEL

0.0055 Ω

316 A

30 V

68.4 mJ

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

-

unknown

NTD4904N-1G

Rochester Electronics, LLC

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

NO

3

SILICON

1

13A Ta 79A Tc

2.2V @ 250μA

Tube

e3

yes

Obsolete

1 (Unlimited)

3

哑光锡

SINGLE

未说明

未说明

R-PSIP-T3

COMMERCIAL

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

DRAIN

N-Channel

SWITCHING

3.7m Ω @ 30A, 10V

3.052pF @ 15V

41nC @ 10V

30V

13A

0.0055Ohm

316A

30V

68.4 mJ

ROHS3 Compliant