ON Semiconductor NTD4904N-1G

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

I-PAK

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Product Status

Obsolete

厂商

onsemi

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13A (Ta), 79A (Tc)

Base Product Number

NTD49

Package

Tube

Package Description

LEAD FREE, CASE 369D-01, IPAK-3

Package Style

IN-LINE

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 369D-01

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

NTD4904N-1G

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.21

Drain Current-Max (ID)

13 A

系列

-

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

哑光锡

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.7mOhm @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3052 pF @ 15 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

41 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.0055 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

316 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

68.4 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-