ON Semiconductor NTD4910N-1G

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

LEAD FREE, CASE 369D-01, IPAK-3

Package Style

IN-LINE

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

369

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Manufacturer Part Number

NTD4910N-1G

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

生命周期结束

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.19

Drain Current-Max (ID)

8.2 A

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

Brand Name

安森美半导体

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.013 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

152 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

25.3 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR