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'ntd4913nt4g'

2结果

category.单MOSFET晶体管 (2)

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

底架

安装类型

包装/外壳

引脚数

供应商器件包装

晶体管元件材料

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

技术

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度（摄氏度）

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

配置

操作模式

功率耗散

箱体转运

接通延迟时间

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

漏源电压 (Vdss)

Vgs（最大值）

下降时间（典型值）

连续放电电流(ID)

栅极至源极电压(Vgs)

最大漏极电流 (Abs) (ID)

DS 击穿电压-最小值

雪崩能量等级（Eas）

场效应管特性

辐射硬化

RoHS状态

无铅

NTD4913NT4G

AMI Semiconductor

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

DPAK

Non-Compliant

Lead free / RoHS Compliant

7.7A (Ta), 32A (Tc)

4.5V, 10V

1.36W (Ta), 24W (Tc)

2.2V @ 250µA

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tape & Reel (TR)

-

1 (Unlimited)

MOSFET (Metal Oxide)

N-Channel

10.5 mOhm @ 30A, 10V

1013pF @ 15V

13nC @ 10V

30V

±20V

-

NTD4913NT4G

ON Semiconductor

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

表面贴装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

4

SILICON

1.36W Ta 24W Tc

7.7A Ta 32A Tc

4.5V 10V

14.7 ns

1

2.2V @ 250μA

-55°C~175°C TJ

Tape & Reel (TR)

2010

e3

yes

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)

1 (Unlimited)

2

EAR99

Tin (Sn)

SINGLE

鸥翼

260

40

R-PSSO-G2

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

2.5W

DRAIN

10 ns

N-Channel

SWITCHING

10.5m Ω @ 30A, 10V

1013pF @ 15V

13nC @ 10V

21ns

30V

±20V

2.3 ns

10.5A

20V

7.7A

30V

22 mJ

无

符合RoHS标准

无铅