ON Semiconductor NTD4963N-1G

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

表面安装

NO

引脚数

4

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Schedule B

8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

Number of Elements

1

Manufacturer Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

14 ns

Package Description

HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE369AC-01, IPAK-3

Package Style

IN-LINE

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

369

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Manufacturer Part Number

NTD4963N-1G

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Part Life Cycle Code

生命周期结束

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.63

Drain Current-Max (ID)

8.1 A

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

电阻

9.6 MΩ

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

1.1 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

Brand Name

安森美半导体

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

35.7 W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

12 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

20 ns

漏源电压 (Vdss)

30 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

10 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

44 A

漏极-源极导通最大电阻

0.016 Ω

漏源击穿电压

30 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

132 A

输入电容

1.035 nF

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

33.8 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

35.7 W

漏源电阻

13.6 mΩ

最大rds

9.6 mΩ

宽度

2.38 mm

高度

7.49 mm

长度

6.73 mm

辐射硬化

无

无铅

无铅