ON Semiconductor NTD4965N-1G

工厂交货时间

1 Week

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

表面安装

NO

供应商器件包装

I-PAK

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tube

Base Product Number

NTD49

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13A (Ta), 68A (Tc)

厂商

onsemi

Product Status

Obsolete

Package Description

IPAK-3

Package Style

IN-LINE

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

369

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Manufacturer Part Number

NTD4965N-1G

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

生命周期结束

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.38

Drain Current-Max (ID)

13 A

系列

-

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

Brand Name

安森美半导体

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.7mOhm @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1710 pF @ 15 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17.2 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

68 A

漏极-源极导通最大电阻

0.01 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

248 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

60 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

38.5 W

场效应管特性

-