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'ntd4965n35g'

2结果

category.单MOSFET晶体管 (2)

所有品牌

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

晶体管元件材料

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

已出版

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

元素配置

操作模式

功率耗散

箱体转运

接通延迟时间

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

漏源电压 (Vdss)

Vgs（最大值）

下降时间（典型值）

连续放电电流(ID)

栅极至源极电压(Vgs)

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

漏源击穿电压

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

雪崩能量等级（Eas）

辐射硬化

RoHS状态

无铅

NTD4965N-35G

ON Semiconductor

50 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

TO-251-3 Stub Leads, IPak

NO

3

SILICON

13A Ta 68A Tc

18.9 ns

1.39W Ta 38.5W Tc

1

4.5V 10V

2.5V @ 250μA

-55°C~175°C TJ

Tube

2012

e3

yes

Obsolete

1 (Unlimited)

3

EAR99

Tin (Sn)

Single

增强型MOSFET

38.5W

DRAIN

12.1 ns

N-Channel

SWITCHING

4.7m Ω @ 30A, 10V

1710pF @ 15V

17.2nC @ 4.5V

34.2ns

±20V

14.2 ns

17.8A

20V

68A

0.01Ohm

30V

248A

60 mJ

无

符合RoHS标准

无铅

NTD4965N-35G

Rochester Electronics, LLC

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

TO-251-3 Stub Leads, IPak

I-PAK

13A Ta 68A Tc

4.5V 10V

1.39W Ta 38.5W Tc

2.5V @ 250μA

-55°C~175°C TJ

Tube

Obsolete

1 (Unlimited)

N-Channel

4.7mOhm @ 30A, 10V

1.71pF @ 15V

17.2nC @ 4.5V

30V

±20V

ROHS3 Compliant