对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 晶体管元件材料 | 厂商 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 技术 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | JESD-30代码 | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | Vgs(最大值) | 下降时间(典型值) | 连续放电电流(ID) | 栅极至源极电压(Vgs) | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 漏源击穿电压 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | 雪崩能量等级(Eas) | 场效应管特性 | 辐射硬化 | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTD4969N-35G | Rochester Electronics, LLC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | I-PAK | 4.5V 10V | 1.38W Ta 26.3W Tc | 9.4A Ta 41A Tc | 2.5V @ 250μA | -55°C~175°C TJ | Tube | Obsolete | 1 (Unlimited) | N-Channel | 9mOhm @ 30A, 10V | 837pF @ 15V | 9nC @ 4.5V | 30V | ±20V | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTD4969N-1G | Rochester Electronics, LLC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | I-PAK | 9.4A Ta 41A Tc | 2.5V @ 250μA | Tube | Obsolete | 1 (Unlimited) | N-Channel | 9mOhm @ 30A, 10V | 837pF @ 15V | 9nC @ 4.5V | 30V | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NTD4969N-1G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | I-PAK | Tube | NTD49 | 9.4A (Ta), 41A (Tc) | onsemi | Obsolete | 2.5V @ 250µA | - | MOSFET (Metal Oxide) | N-Channel | 9mOhm @ 30A, 10V | 837 pF @ 15 V | 9 nC @ 4.5 V | 30 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NTD4969NT4G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | YES | 4 | SILICON | 9.4A Ta 41A Tc | 4.5V 10V | 1 | 1.38W Ta 26.3W Tc | 13.3 ns | 2.5V @ 250μA | -55°C~175°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2011 | e3 | yes | ACTIVE (Last Updated: 4 days ago) | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | Tin (Sn) | 鸥翼 | 260 | 40 | R-PSSO-G2 | Single | 增强型MOSFET | 26.3W | DRAIN | 10 ns | N-Channel | SWITCHING | 9m Ω @ 30A, 10V | 837pF @ 15V | 9nC @ 4.5V | 27ns | ±20V | 6.4 ns | 12.7A | 20V | 30V | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||
NTD4969N-35G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | NO | 3 | SILICON | 4.5V 10V | 1 | 1.38W Ta 26.3W Tc | 13.3 ns | 9.4A Ta 41A Tc | 2.5V @ 250μA | -55°C~175°C TJ | Tube | 2008 | e3 | yes | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago) | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | Tin (Sn) | Single | 增强型MOSFET | 26.3W | DRAIN | 10 ns | N-Channel | SWITCHING | 9m Ω @ 30A, 10V | 837pF @ 15V | 9nC @ 4.5V | 27ns | ±20V | 6.4 ns | 12.7A | 20V | 9.4A | 0.019Ohm | 30V | 150A | 15 mJ | 无 | 符合RoHS标准 | 无铅 |
NTD4969N-35G
Rochester Electronics, LLC
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Single
NTD4969N-1G
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分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Single
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ON Semiconductor
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分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Single
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ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Single


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