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'ntd4969n'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

晶体管元件材料

厂商

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

技术

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

元素配置

操作模式

功率耗散

箱体转运

接通延迟时间

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

漏源电压 (Vdss)

Vgs(最大值)

下降时间(典型值)

连续放电电流(ID)

栅极至源极电压(Vgs)

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

漏源击穿电压

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

雪崩能量等级(Eas)

场效应管特性

辐射硬化

RoHS状态

无铅

NTD4969N-35G
NTD4969N-35G
Rochester Electronics, LLC 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

TO-251-3 Stub Leads, IPak

I-PAK

4.5V 10V

1.38W Ta 26.3W Tc

9.4A Ta 41A Tc

2.5V @ 250μA

-55°C~175°C TJ

Tube

Obsolete

1 (Unlimited)

N-Channel

9mOhm @ 30A, 10V

837pF @ 15V

9nC @ 4.5V

30V

±20V

ROHS3 Compliant

NTD4969N-1G
NTD4969N-1G
Rochester Electronics, LLC 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

I-PAK

9.4A Ta 41A Tc

2.5V @ 250μA

Tube

Obsolete

1 (Unlimited)

N-Channel

9mOhm @ 30A, 10V

837pF @ 15V

9nC @ 4.5V

30V

ROHS3 Compliant

NTD4969N-1G
NTD4969N-1G
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

I-PAK

Tube

NTD49

9.4A (Ta), 41A (Tc)

onsemi

Obsolete

2.5V @ 250µA

-

MOSFET (Metal Oxide)

N-Channel

9mOhm @ 30A, 10V

837 pF @ 15 V

9 nC @ 4.5 V

30 V

-

NTD4969NT4G
NTD4969NT4G
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8 Weeks

表面贴装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

YES

4

SILICON

9.4A Ta 41A Tc

4.5V 10V

1

1.38W Ta 26.3W Tc

13.3 ns

2.5V @ 250μA

-55°C~175°C TJ

Tape & Reel (TR)

2011

e3

yes

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

1 (Unlimited)

2

EAR99

Tin (Sn)

鸥翼

260

40

R-PSSO-G2

Single

增强型MOSFET

26.3W

DRAIN

10 ns

N-Channel

SWITCHING

9m Ω @ 30A, 10V

837pF @ 15V

9nC @ 4.5V

27ns

±20V

6.4 ns

12.7A

20V

30V

无

ROHS3 Compliant

无铅

NTD4969N-35G
NTD4969N-35G
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

TO-251-3 Stub Leads, IPak

NO

3

SILICON

4.5V 10V

1

1.38W Ta 26.3W Tc

13.3 ns

9.4A Ta 41A Tc

2.5V @ 250μA

-55°C~175°C TJ

Tube

2008

e3

yes

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)

1 (Unlimited)

3

EAR99

Tin (Sn)

Single

增强型MOSFET

26.3W

DRAIN

10 ns

N-Channel

SWITCHING

9m Ω @ 30A, 10V

837pF @ 15V

9nC @ 4.5V

27ns

±20V

6.4 ns

12.7A

20V

9.4A

0.019Ohm

30V

150A

15 mJ

无

符合RoHS标准

无铅