ON Semiconductor NTD50N03R-1

安装类型

通孔

表面安装

NO

触点形状

Square

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage, Rating

600VAC

Mated Stacking Heights

--

Contact Materials

Copper Alloy

Contact Finish Mating

Tin

Insulation Materials

Polyamide (PA), Nylon

Contact Length-Mating

--

Package Description

CASE 369D-01, DPAK-3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 369D-01

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

NTD50N03R-1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.74

Drain Current-Max (ID)

7.8 A

操作温度

-55°C ~ 105°C

系列

AMP-DUAC

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

终端

Solder

ECCN 代码

EAR99

连接器类型

Header

定位的数量

16

端子表面处理

锡铅

应用

--

行数

2

紧固类型

锁定坡道

触点类型

公母针

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

入口保护

--

绝缘高度

0.504 (12.80mm)

样式

板对板或电缆

已加载定位数量

All

Reach合规守则

compliant

额定电流

--

间距 - 配套

0.165 (4.20mm)

绝缘颜色

Natural

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

行间距-交配

0.165 (4.20mm)

触点长度 - 柱子

0.138 (3.50mm)

护罩,护罩

Shrouded - 4 Wall

触点表面处理 - 柱子

Tin

接触总长度

--

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.014 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

180 A

DS 击穿电压-最小值

25 V

雪崩能量等级（Eas）

20 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

特征

--

触点表面处理厚度 - 配套

118.1µin (3.00µm)

触点表面处理厚度 - 柱子

--

材料可燃性等级

UL94 V-2