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'ntd5c632nlt4g'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

安装类型

包装/外壳

供应商器件包装

厂商

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

系列

子类别

技术

通道数量

功率耗散

场效应管类型

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

漏源电压 (Vdss)

Vgs(最大值)

产品类别

信道型

场效应管特性

产品

产品类别

NTD5C632NLT4G
NTD5C632NLT4G
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

DPAK

155

DPAK (TO-252)

-

MSL 1 - Unlimited

60 V

2.1 V

115 W

N-Channel

+ 175 C

onsemi

- 20 V, + 20 V

- 55 C

2500

SMD/SMT

Enhancement

onsemi

onsemi

78 nC

2.5 mOhms

155 A

Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);

29A (Ta), 155A (Tc)

4.5V, 10V

4W (Ta), 115W (Tc)

活跃

2.1V @ 250µA

-55°C ~ 175°C (TJ)

-

MOSFETs

Si

1 Channel

115

N-Channel

2.5mOhm @ 50A, 10V

5700 pF @ 25 V

34 nC @ 4.5 V

60 V

±20V

MOSFET

N

-

MOSFET

MOSFET