对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 安装类型 | 包装/外壳 | 供应商器件包装 | 厂商 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 系列 | 子类别 | 技术 | 通道数量 | 功率耗散 | 场效应管类型 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 漏源电压 (Vdss) | Vgs(最大值) | 产品类别 | 信道型 | 场效应管特性 | 产品 | 产品类别 | ||||||||||||||||||||||||
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NTD5C632NLT4G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK | 155 | DPAK (TO-252) | - | MSL 1 - Unlimited | 60 V | 2.1 V | 115 W | N-Channel | + 175 C | onsemi | - 20 V, + 20 V | - 55 C | 2500 | SMD/SMT | Enhancement | onsemi | onsemi | 78 nC | 2.5 mOhms | 155 A | Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT); | 29A (Ta), 155A (Tc) | 4.5V, 10V | 4W (Ta), 115W (Tc) | 活跃 | 2.1V @ 250µA | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | MOSFETs | Si | 1 Channel | 115 | N-Channel | 2.5mOhm @ 50A, 10V | 5700 pF @ 25 V | 34 nC @ 4.5 V | 60 V | ±20V | MOSFET | N | - | MOSFET | MOSFET |


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