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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 表面安装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | JESD-609代码 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | Reach合规守则 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 操作模式 | 箱体转运 | 晶体管应用 | 极性/通道类型 | 漏极-源极导通最大电阻 | DS 击穿电压-最小值 | 雪崩能量等级（Eas） | 场效应管技术 | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTD60N02R-032 | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 3 | SILICON | NTD60N02R-032 | 无 | Obsolete | ON SEMICONDUCTOR | IN-LINE, R-PSIP-T3 | CASE 369D-01 | 5.72 | 32 A | 1 | 175 °C | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | IN-LINE | 未说明 | e0 | EAR99 | 锡铅 | SINGLE | THROUGH-HOLE | 未说明 | compliant | 3 | R-PSIP-T3 | 不合格 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | SWITCHING | N-CHANNEL | 0.0105 Ω | 24 V | 60 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
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