ON Semiconductor NTD60N02RT4G
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NTD60N02RT4G
1807-NTD60N02RT4G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK
1最小包装量--
NTD60N02RT4G详情
ON Semiconductor NTD60N02RT4G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
4
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8.5A Ta 32A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.25W Ta 58W Tc
Turn Off Delay Time
19 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2V @ 250μA
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
无铅代码
yes
零件状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
24V
额定电流
60A
元素配置
Single
功率耗散
1.87W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
10.5m Ω @ 20A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1330pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
14nC @ 4.5V
上升时间
33ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
33 ns
连续放电电流(ID)
62A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
25V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
NTD60N02RT4G拓展信息
ON Semiconductor
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