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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.787003
10
¥2.629253
100
¥2.480428
500
¥2.340025
1000
¥2.207574
ON Semiconductor NTD60N03
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- 对比
NTD60N03
1807-NTD60N03
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
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TRANSISTOR 60 A, 28 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369AA-01, DPAK-3, FET General Purpose Power
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NTD60N03详情
ON Semiconductor NTD60N03重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
厂商
onsemi
Product Status
活跃
Package Description
CASE 369AA-01, DPAK-3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
CASE 369AA-01
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
NTD60N03
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.19
Drain Current-Max (ID)
60 A
系列
*
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.0075 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
120 A
DS 击穿电压-最小值
28 V
雪崩能量等级(Eas)
733 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
NTD60N03拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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