ON Semiconductor NTD65N03R-35G

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Stub Leads, IPak

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

I-Pak

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage Rating (DC)

25 V

Manufacturer Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

20.3 ns

Package

Tube

Base Product Number

NTD65

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

65A (Tc)

厂商

onsemi

Product Status

Obsolete

Package Description

LEAD FREE, CASE 369D-01, DPAK-3

Package Style

IN-LINE

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 369D-01

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

NTD65N03R-35G

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.3

Drain Current-Max (ID)

32 A

系列

-

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

65 A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

50 W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.4mOhm @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1400 pF @ 20 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

16 nC @ 5 V

漏源电压 (Vdss)

25 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

65 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏极-源极导通最大电阻

0.0146 Ω

漏源击穿电压

25 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

130 A

输入电容

1.4 nF

DS 击穿电压-最小值

25 V

雪崩能量等级（Eas）

71.7 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

漏源电阻

9.7 mΩ

无铅

无铅