ON Semiconductor NTD6600N-001
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NTD6600N-001
1807-NTD6600N-001
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
1最小包装量--
NTD6600N-001详情
ON Semiconductor NTD6600N-001重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
12A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Power Dissipation (Max)
1.28W Ta 56.6W Tc
Turn Off Delay Time
26 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
已出版
2007
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电压 - 额定直流
100V
额定电流
12A
元素配置
Single
功率耗散
56.6W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
146m Ω @ 6A, 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
700pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
20nC @ 5V
上升时间
75ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
50 ns
连续放电电流(ID)
12A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
NTD6600N-001拓展信息
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