ON Semiconductor NTD78N03RT4G

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

18 ns

Package Description

LEAD FREE, CASE 369C-01, DPAK-3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 369C-01

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

NTD78N03RT4G

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.64

Drain Current-Max (ID)

11.3 A

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.3 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

75 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

85 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

85 A

漏极-源极导通最大电阻

0.009 Ω

漏源击穿电压

25 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

98 A

DS 击穿电压-最小值

25 V

雪崩能量等级（Eas）

75 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

76.9 W

漏源电阻

7.5 Ω